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参数资料
| 型号： | MRF6V3090NBR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 17/19页 |
| 文件大小： | 942K |
| 描述： | FET RF N-CH 860MHZ 50V TO272-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 22dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 18W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-272BB |
| 供应商设备封装： | TO-272 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5
MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
TYPICAL CHARACTERISTICS ? DVB--T (8k OFDM)
12
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 13. Single--Carrier DVB--T (8k OFDM)
10
1
0.1
0.01
0.001
246810
PROBABILITY (%)
DVB--T (8k OFDM)
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
5
-- 2 0
-- 5
7.61 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. DVB--T (8k OFDM) Spectrum
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 9 0
-- 7 0
-- 8 0
--100
-- 11 0
-- 6 0
-- 4 -- 3 -- 2 -- 1 0 1 2 3 4
4kHzBW
(dB)
ACPR Measured at 4 MHz Offset
from Center Frequency
Figure 15. Single--Carrier DVB--T (8k OFDM) Power Gain
versus Output Power (Narrowband Test Circuit)
23
1
IDQ
= 450 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
10 40
G
ps
, POWER GAIN (dB)
350 mA
VDD
= 50 Vdc, f = 860 MHz
DVB--T (8k OFDM), 64 QAM Data
Carrier Modulation, 5 Symbols
22.5
22
21.5
21
20.5
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
Figure 16. Single--Carrier DVB--T (8k OFDM) ACPR
versus Output Power (Narrowband Test Circuit)
-- 6 8
-- 5 4
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
-- 5 6
10 40
-- 6 0
VDD
= 50 Vdc, f = 860 MHz
DVB--T (8k OFDM), 64 QAM Data
Carrier Modulation, 5 Symbols
-- 6 2
IDQ
= 250 mA
300 mA
-- 6 4
-- 6 6
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
Figure 17. Single--Carrier DVB--T (8k OFDM) Drain
Efficiency, Power Gain and ACPR versus Output Power
(Narrowband Test Circuit)
0
-- 7 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
50
-- 4 5
30
10
-- 5 0
1
-- 6 0
40
40
20
-- 5 5
10
-- 6 5
ηD
25_C
TC
=--30_C
85_C
Gps
ACPR
VDD
=50Vdc,IDQ
= 350 mA
f = 860 MHz, DVB--T (8k OFDM)
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
4kHzBW
DVB--T (8k OFDM)
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
250 mA
300 mA
-- 5 8
350 mA
450 mA
25_C
-- 3 0_C
85_C
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF6V3090NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V4300NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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