参数资料
型号: MRF6V3090NBR1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 2/19页
文件大小: 942K
描述: FET RF N-CH 860MHZ 50V TO272-4
标准包装: 500
晶体管类型: LDMOS
频率: 860MHz
增益: 22dB
电压 - 测试: 50V
电流 - 测试: 350mA
功率 - 输出: 18W
电压 - 额定: 110V
封装/外壳: TO-272BB
供应商设备封装: TO-272 WB-4
包装: 带卷 (TR)
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5
MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
470--860 MHz BROADBAND REFERENCE CIRCUIT
Table 7. MRF6V3090NR1(NBR1) 470--860 MHz Broadband 2″×3″Reference Circuit Component Designations and
Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1, C12
100 pF Chip Capacitors
ATC100B101JT500XT
ATC
C2
1.8 pF Chip Capacitor
ATC100B1R8BT500XT
ATC
C3
6.2 pF Chip Capacitor
ATC100B6R2BT500XT
ATC
C4, C5, C6
13 pF Chip Capacitors
ATC100B130JT500XT
ATC
C7, C8, C11
2.2 pF Chip Capacitors
ATC100B2R2JT500XT
ATC
C9
15 pF Chip Capacitor
ATC100B150JT500XT
ATC
C10
3.9 pF Chip Capacitor
ATC100B3R9CT500XT
ATC
C13
47
μF, 16 V Tantalum Capacitor
T491D476K016AS
Kemet
C14, C17, C19
2.2
μF, 100 V Chip Capacitors
C3225X7R2A225KT
TDK
C15, C16, C18
220 pF Chip Capacitors
ATC100B221JT200XT
ATC
C20
470
μF, 63 V Electrolytic Capacitor
MCGPR63V477M13X26--RH
Multicomp
Q1
RF High Power Transistor
MRF6V3090NBR1
Freescale
R1
10
?, 1/4 W Chip Resistor
CRCW120610RJ
Vishay
PCB
0.030″,
εr
=3.5
RO4350B
Rogers
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MRF6V3090NR1 FET RF N-CH 860MHZ 50V TO270-4
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参数描述
MRF6V3090NBR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V3090NBR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF Series 470 - 860 MHz 90 W 50 V N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6V3090NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V3090NR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V4300NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray