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参数资料
| 型号： | MRF6V3090NBR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/19页 |
| 文件大小： | 942K |
| 描述： | FET RF N-CH 860MHZ 50V TO272-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 22dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 18W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-272BB |
| 供应商设备封装： | TO-272 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5
MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC22FF111G-TF | CAP MICA 110PF 1KV 2% 2220 |
| MC22FF101G-TF | CAP MICA 100PF 1KV 2% 2220 |
| ST5ETX104 | TRIMMER 100K OHM 0.25W SMD |
| MCN12FD101J | CAP MICA 100PF 500V 5% 1210 |
| MRF6V3090NR1 | FET RF N-CH 860MHZ 50V TO270-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6V3090NBR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V3090NBR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF Series 470 - 860 MHz 90 W 50 V N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6V3090NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V3090NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V4300NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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