型号: | MRF6V4300NR1 |
厂商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB, 4 PIN |
文件页数: | 1/15页 |
文件大小: | 816K |
代理商: | MRF6V4300NR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MRF6VP121KHSR6 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF6VP21KHR6 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRF6V4300NR1_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
MRF6V4300NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6VP11KGHSR5 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS |
MRF6VP11KGHSR6 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS |
MRF6VP11KGSR5 | 功能描述:射频双极电源晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |