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参数资料
| 型号： | MRF6V4300NR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/15页 |
| 文件大小： | 816K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 450MHz |
| 增益： | 22dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 900mA |
| 功率 - 输出： | 300W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP11KHR6 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
| MRF6VP121KHSR6 | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230S |
| MRF6VP21KHR6 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
| MRF6VP2600HR6 | MOSFET RF N-CH 600W NI1230 |
| MRF6VP3091NBR1 | MOSFET RF 50V 350MA TO272-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6VP11KGHSR5 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS |
| MRF6VP11KGHSR6 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS |
| MRF6VP11KGSR5 | 功能描述:射频双极电源晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF6VP11KHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP11KHR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF6VP11KH Series 10 - 150 MHz 1000 W N-Channel RF Power Mosfet |
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