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参数资料
| 型号： | MRF6VP3450HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/18页 |
| 文件大小： | 1077K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 450W NI1230S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 22.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 90W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6VP3450HR6 MRF6VP3450HR5 MRF6VP3450HSR6 MRF6VP3450HSR5
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 470--860 MHz
1000
17
23
0
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 19. Broadband Pulsed Power Gain and Drain
Efficiency versus Output Power ? 470--860 MHz
VDD
=50Vdc,IDQ
= 1200 mA
Pulse Width = 50
μsec, Duty Cycle = 2.5%
100
10
22
50
40
30
20
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
22.5
G
ps
, POWER GAIN (dB)
P1dB (WATTS)
450
600
500
500 530 560 590 620 650 680 710 740 770 800 830
860
470
P1dB
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Frequency at P1dB ? 470--860 MHz
27
25
20
70
60
40
30
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
22
21
18
17
26
24
23
50
700
550
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
Figure 21. Single--Carrier DVB--T OFDM ACPR, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power ? 470--860 MHz
0--75
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
50
-- 5 0
30
15
665 MHz
10
ACPR
470 MHz
-- 6 0
3 30010
100
-- 6 5
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
Gps
VDD=50Vdc,IDQ
= 1400 mA, 8K Mode OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
35
665 MHz
20
ηD
860 MHz
20
19
650
25
860 MHz
VDD=50Vdc,Pout= P1dB, IDQ
= 1200 mA
Pulse Width = 50
μsec, Duty Cycle = 2.5%
21
21.5
20
20.5
19
19.5
18
18.5
17.5
10
665 MHz
470 MHz
860 MHz
665 MHz
470 MHz
40
5
45
-- 5 5
-- 7 0
470 MHz
860 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCM01-009F4R7D-F | CAP PTFE 4.7PF 1KV SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF6VP41KHR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP41KHR7 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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