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参数资料
| 型号： | MRF7S16150HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 452K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.6GHz |
| 增益： | 19.7dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.5A |
| 功率 - 输出： | 32W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S16150HR3 MRF7S16150HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo
= 5
Ω
Zload
Zsource
f = 1700
MHz
f = 1500 MHz
f = 1500 MHz
f = 1700
MHz
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1500 mA, P
out
= 32 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
1500
1.09 - j3.76
1.00 - j2.35
1520
1.06 - j3.62
0.96 - j2.19
1540
1.04 - j3.48
0.93 - j2.03
1560
1.01 - j3.34
0.91 - j1.88
1580
0.99 - j3.21
0.88 - j1.74
1600
0.96 - j3.07
0.86 - j1.60
1620
0.94 - j2.94
0.83 - j1.46
1640
0.92 - j2.81
0.81 - j1.33
1660
0.90 - j2.69
0.79 - j1.20
1680
0.88 - j2.56
0.77 - j1.07
1700
0.86 - j2.44
0.76 - j0.95
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S18125AHSR5 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S |
| MRF7S18125BHSR5 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| MRF7S18170HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-880S |
| MRF7S19080HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| MRF7S19100NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S18125AHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125AHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125AHSR | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF7S18125AHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW125W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125AHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW125W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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