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参数资料
| 型号： | MRF7S16150HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 452K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.6GHz |
| 增益： | 19.7dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.5A |
| 功率 - 输出： | 32W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S16150HR3 MRF7S16150HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc)
1560
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. WiMAX Broadband Performance
@ Pout
= 32 Watts Avg.
?16
0
?4
?8
?12
14
24
23
22
?54
30
28
26
24
?24
?30
?36
?42
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
21
20
19
18
17
16
15
1580 1600 1620 1640 1660 1680 1700
22
?48
?20
IRL
Gps
ACPR
ηD
VDD= 28 Vdc, Pout
= 32 W (Avg.), I
DQ
= 1500 mA,
3/4,
4 Bursts, 7 MHz Channel
802.16d, 64 QAM
Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc)
1560
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. WiMAX Broadband Performance
@ Pout
= 64 Watts Avg.
?16
0
?4
?8
?12
14
24
23
22
?45
40
38
36
34
?20
?25
?30
?35
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
21
20
19
18
17
16
15
1580 1600 1620 1640 1660 1680 1700
32
?40
?20
IRL
Gps
ACPR
ηD
VDD= 28 Vdc, Pout
= 64 W (Avg.), I
DQ
= 1500 mA
802.16d, 64 QAM 3/4,
4 Bursts, 7 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
10 400100
16
21
1
IDQ
= 2250 mA
1875 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
750 mA
1500 mA
19
18
17
G
ps
, POWER GAIN (dB)
20
1125 mA
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1500 mA
f1 = 1625
MHz, f2 = 1635 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
0
IDQ
= 375 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
562.5 mA
750 mA
1500 mA
10
?20
?30
?40
100
?60
?50
1
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
400
?10
937.5 mA
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1500 mA
f1 = 1625
MHz, f2 = 1635 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF7S18125AHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| MRF7S18125AHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW125W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125AHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW125W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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