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参数资料
| 型号： | MRF7S18125AHSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 471K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHSR3
Zo
= 5
Ω
Zload
Zsource
f = 1760
MHz
f = 1920
MHz
f = 1920
MHz
f = 1760
MHz
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1100 mA, P
out
= 125 W CW
f
MHz
Zsource
Zload
1760
1.30 - j3.17
1.44 - j2.62
1780
1.27 - j3.05
1.41 - j2.47
1800
1.24 - j2.92
1.39 - j2.32
1820
1.21 - j2.80
1.37 - j2.17
1840
1.18 - j2.66
1.34 - j2.02
1860
1.15 - j2.52
1.31 - j1.88
1880
1.12 - j2.37
1.29 - j1.73
1900
1.09 - j2.21
1.26 - j1.58
1920
1.05 - j2.06
1.23 - j1.44
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 17. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S18125BHSR5 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| MRF7S18170HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-880S |
| MRF7S19080HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| MRF7S19100NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4 |
| MRF7S19120NR1 | MOSFET RF N-CH TO-270-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S18125BHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| MRF7S18170H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs) |
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