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参数资料
| 型号： | MRF7S18125AHSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 471K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, IDQ
= 1100 mA, 1805-1880 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point
P1dB
?
140
?
W
IMD Symmetry @ 125 W PEP, Pout
where IMD Third Order
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
8
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
35
?
MHz
Gain Flatness in 75 MHz Bandwidth @ Pout
= 125 W CW
GF
?
0.8
?
dB
Average Deviation from Linear Phase in 75 MHz Bandwidth
@ Pout
= 125 W CW
Φ
?
0.49
?
°
Average Group Delay @ Pout
= 125 W CW, f = 1840 MHz
Delay
?
1.21
?
ns
Part-to-Part Insertion Phase Variation @ Pout
= 125 W CW,
f = 1840 MHz, Six Sigma Window
ΔΦ
?
8.66
?
°
Gain Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔG
?
0.016
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔP1dB
?
0.01
?
dBm/°C
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1100 mA, P
out
= 57 W
Avg., 1805-1880 MHz EDGE Modulation
Power Gain
Gps
?
17
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
38
?
%
Error Vector Magnitude
EVM
?
1.75
?
% rms
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
?
-63
?
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
?
-75
?
dBc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S18125BHSR5 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| MRF7S18170HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-880S |
| MRF7S19080HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| MRF7S19100NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4 |
| MRF7S19120NR1 | MOSFET RF N-CH TO-270-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S18125BHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18170H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs) |
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