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参数资料
| 型号： | MRF7S18125AHSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 471K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
P3dB = 53.07
dBm (202.7
W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1100
mA, Pulsed CW
10 μsec(on), 10% Duty Cycle, f =1840
MHz
56
54
52
37 3938 40 4241
Actual
Ideal
P1dB = 52.105
dBm
(162.4
W)
57
55
49
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE:
Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
53
58
59
60
61
35
34
33
30
32
31
P6dB = 53.68
dBm (233.3
W)
51
50
Test Impedances per Compression Level
Zsource
Ω
Zload
Ω
P1dB
0.60 - j2.81
1.05 - j2.36
Figure 18. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S18125BHSR5 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
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| MRF7S19080HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| MRF7S19100NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4 |
| MRF7S19120NR1 | MOSFET RF N-CH TO-270-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S18125BHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18170H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs) |
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