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参数资料
| 型号： | MRF7S19080HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/19页 |
| 文件大小： | 1165K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 750mA |
| 功率 - 输出： | 24W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22--A114)
1C (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22--A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22--C101)
IV (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
=65Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
=28Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate--Source Leakage Current
(VGS
=5Vdc,VDS
=0Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
=10Vdc,ID
= 174
μAdc)
VGS(th)
1.2
2
2.7
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDD
=28Vdc,ID
= 750 mAdc, Measured in Functional Test)
VGS(Q)
2
2.7
3.5
Vdc
Drain--Source On--Voltage
(VGS
=10Vdc,ID
=1.74Adc)
VDS(on)
0.1
0.21
0.3
Vdc
Dynamic Characteristics
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
=28Vdc±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS
=0Vdc)
Crss
?
0.64
?
pF
Output Capacitance
(VDS
=28Vdc±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS
=0Vdc)
Coss
?
297
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 750 mA, Pout
= 24 W Avg., f = 1987.5 MHz,
Single--Carrier W--CDMA, IQ Magnitude Clipping, PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF. ACPR measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @
±5MHzOffset.
Power Gain
Gps
17
18
20
dB
Drain Efficiency
ηD
30
32
?
%
Output Peak--to--Average Ratio @ 0.01% Probability on CCDF
PAR
5.7
6.2
?
dB
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-- 3 8
-- 3 5
dBc
Input Return Loss
IRL
?
-- 2 0
-- 9
dB
1. Part internally matched both on input and output.
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3292W-1-103LF | TRIMMER 10K OHM 0.5W TH |
| CD10ED300GO3F | CAP MICA 30PF 500V 2% RADIAL |
| 3292W-1-501LF | TRIMMER 500 OHM 0.5W TH |
| MRF7S16150HR5 | MOSFET RF N-CH NI-780 |
| 3292W-1-102LF | TRIMMER 1K OHM 0.5W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S19080HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF7S19080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19100NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19100NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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