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参数资料
| 型号： | MRF7S19080HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/19页 |
| 文件大小： | 1165K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 750mA |
| 功率 - 输出： | 24W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
-- 6 0 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
-- 3 0
24
-- 3 5
20
-- 4 0
12
03 91
2645 78
8
-- 5 5
Figure 18. 3--Carrier TD--SCDMA ACPR, ALT and
Drain Efficiency versus Output Power
ALT/ACPR (dBc)
-- 4 5
-- 5 0
4
Adj--U
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
3--Carrier TD--SCDMA
VDD
=28V,IDQ
= 750 mA
f = 2017.5 MHz
Alt--U
Alt--L
16
Adj--L
-- 6 0 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
-- 3 0
24
-- 4 0
16
12
0.5
8
-- 5 5
Figure 19. 6--Carrier TD--SCDMA ACPR, ALT and
Drain Efficiency versus Output Power
-- 4 5
-- 5 0
1.5
4
Adj--L
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
6--Carrier TD--SCDMA
VDD
=28V,IDQ
= 750 mA
f = 2017.5 MHz
Alt--U
Alt--L
ALT/ACPR (dBc)
Adj--U
2.5 3.5 4.5 5.5 6.5 7.5
-- 4 5
20
TD--SCDMA TEST SIGNAL
-- 8 0
--130
-- 3 0
(dBm)
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 9 0
--100
-- 11 0
--120
Center 2.0175 GHz Span 15 MHz1.5 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. 3--Carrier TD--SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
-- 8 0
--130
-- 3 0
(dBm)
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 9 0
--100
-- 11 0
--120
Center 2.0175 GHz Span 25 MHz2.5 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. 6--Carrier TD--SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
-- A LT 1 i n
1.28 MHz BW
--1.6 MHz Offset
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
-- A LT 1 i n
1.28 MHz BW
--1.6 MHz Offset
-- A LT 2 i n
1.28 MHz BW
--3.2 MHz Offset
-- A LT 2 i n
1.28 MHz BW
--3.2 MHz Offset
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PDF描述 |
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