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参数资料
| 型号： | MRF7S19100NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 592K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 17.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 29W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50
οhm system) VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, 1930-1990 MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 100 W PEP Pout
where IM3 = -30 dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
ΔIMD3 = IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
?
30
?
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ Pout
= 29 W Avg.
GF
?
1
?
dB
Average Group Delay @ Pout
= 100 W CW, f = 1960 MHz
Delay
?
2.15
?
ns
Part-to-Part Insertion Phase Variation @ Pout
= 100 W CW,
f = 1960 MHz, Six Sigma Window
ΔΦ
?
28.8
?
°
Gain Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔG
?
0.019
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔP1dB
?
0.015
?
dBm/°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S19120NR1 | MOSFET RF N-CH TO-270-4 |
| MRF7S19170HSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
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| MRF7S21080HSR5 | MOSFET RF N-CH 22W NI-780S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S19100NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF7S19120NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 36W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19120NR1_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF7S19170HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19170HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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