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参数资料
| 型号： | MRF7S21080HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/15页 |
| 文件大小： | 802K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 22W NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 22W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S21080HR3 MRF7S21080HSR3
Figure 1. MRF7S21080HR3(HSR3) Test Circuit Schematic
Z10* 0.457″
x 0.083″
Microstrip
Z11* 0.118″
x 0.083″
Microstrip
Z12* 0.206″
x 0.083″
Microstrip
Z13 0.301″
x 0.083″
Microstrip
Z14* 1.220″
x 0.080″
Microstrip
Z15, Z16* 0.720″
x 0.080″
Microstrip
PCB Taconic TLX8--0300, 0.030″,
εr
=2.55
* Variable for tuning
Z1 0.325″
x 0.083″
Microstrip
Z2* 0.921″
x 0.083″
Microstrip
Z3* 0.126″
x 0.083″
Microstrip
Z4* 0.645″
x 0.083″
Microstrip
Z5 0.275″
x 0.669″
Microstrip
Z6 0.114″
x 0.764″
Microstrip
Z7 0.374″
x 0.764″
Microstrip
Z8 0.180″
x 0.524″
Microstrip
Z9* 0.075″
x 0.083″
Microstrip
VBIAS
VSUPPLY
RF
OUTPUT
RF
INPUT
DUT
C4
C3
R1
Z1
Z2
Z3
Z4
C1
Z10
R2
Z14
Z5
Z11
Z12
Z13
C9
Z6
Z15
C10
C13
C16
Z16
C14
C15
+
C12
C11
C5
R3
C2
C17
C8
C7
C6
Z8
Z7
Z9
Table 5. MRF7S21080HR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1, C3, C9, C10, C11
6.8 pF Chip Capacitors
ATC100B6R8BT500XT
ATC
C2
0.5 pF Chip Capacitor
ATC100B0R5BT500XT
ATC
C4
220 nF Chip Capacitor
18125C224KAT1A
AVX
C5, C12, C13, C14, C15
10
μF, 50 V Chip Capacitors
C5750X5R1H106M
TDK
C6
1.5 pF Chip Capacitor
ATC100B1R5BT500XT
ATC
C7, C8, C17
0.2 pF Chip Capacitors
ATC100B0R2BT500XT
ATC
C16
220
μF, 63 V Electrolytic Capacitor, Radial
222213668221
Vishay
R1, R2
2K?, 1/4 W Chip Resistors
CRCW12062001FKEA
Vishay
R3
10
?, 1/4 W Chip Resistor
CRCW120610R0FKEA
Vishay
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S21080HR3 | MOSFET RF N-CH 22W NI-780 |
| PAGA-3114 | SWITCH PUSHWHEEL HEX W/END 0-15 |
| MRF7S19080HR5 | MOSFET RF N-CH NI-780 |
| 3292W-1-103LF | TRIMMER 10K OHM 0.5W TH |
| CD10ED300GO3F | CAP MICA 30PF 500V 2% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21110HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 33W WCDMA NH780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21110HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 33W WCDMA NH780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21110HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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