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参数资料
| 型号： | MRF7S21080HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 802K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 22W NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 22W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S21080HR3 MRF7S21080HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
-- 2 0
-- 8
-- 1 2
-- 1 6
-- 4
G
ps
, POWER GAIN (dB)
2220
2060
IRL
17.4
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 22 Watts Avg.
VDD=28Vdc,Pout
=22W(Avg.),IDQ
= 800 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability(CCDF)
2080 22002160
2180
2120
2100
19
18
-- 2 . 5
34
33
32
31
30
-- 0 . 5
-- 1
-- 1 . 5
ηD
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
-- 2 4
-- 8
-- 1 2
-- 1 6
-- 2 0
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
2140
18.4
18.2
17.8
17.6
17
-- 2
-- 4
17.2
18.6
18.8
0
Gps
G
ps
, POWER GAIN (dB)
2220
2060
IRL
16.6
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 40 Watts Avg.
VDD=28Vdc,Pout
=40W(Avg.),IDQ
= 800 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability(CCDF)
2080 22002160
2180
2120
2100
18.2
17.4
-- 4
45
44
43
42
-- 2
-- 2 . 5
-- 3
ηD
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
2140
17.8
17.6
17.2
17
16.4
-- 3 . 5
16.8
18
41
Gps
Figure 5. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
10 200100
13
20
1
IDQ
= 1200 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
400 mA
18
17
16
G
ps
, POWER GAIN (dB)
800 mA
15
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
-- 1 0
IDQ
= 400 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
1200 mA
600 mA
10
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
100
-- 6 0
-- 5 0
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
1
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
200
800 mA
600 mA
1000 mA
19
14
1000 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S21080HR3 | MOSFET RF N-CH 22W NI-780 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21110HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 33W WCDMA NH780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21110HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 33W WCDMA NH780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21110HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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