- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21696 > MRF7S21080HR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 22W NI-780 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF7S21080HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/15页 |
| 文件大小： | 802K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 22W NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 22W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S21080HR3 MRF7S21080HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
160
19
0 12040 80
16
17
18
28 V
VDD
=24V
32 V
15
IDQ
= 800 mA
f = 2140 MHz
W--CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 13. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
1357924 6810
PROBABILITY (%)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
Input Signal
-- 6 0
--100
10
(dB)
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
3.84 MHz
Channel BW
-- 9 9-- 7 . 2
7.2
1.8 5.43.6
0
-- 1 . 8
-- 3 . 6
-- 5 . 4
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
-- 1 0
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S21080HR3 | MOSFET RF N-CH 22W NI-780 |
| PAGA-3114 | SWITCH PUSHWHEEL HEX W/END 0-15 |
| MRF7S19080HR5 | MOSFET RF N-CH NI-780 |
| 3292W-1-103LF | TRIMMER 10K OHM 0.5W TH |
| CD10ED300GO3F | CAP MICA 30PF 500V 2% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21110HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 33W WCDMA NH780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21110HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 33W WCDMA NH780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21110HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。