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参数资料
| 型号： | MRF7S35120HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 732K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 3.1GHz |
| 增益： | 12dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 120W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S35120HSR3
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
May 2008
?
Initial Release of Data Sheet
1
June 2008
?
Corrected Pout
error and changed from 42.5 Watts to 18 Watts, Typical WiMAX Performance bullet, p. 1
2
Nov. 2008
?
Updated Fig. 15, MTTF versus Junction Temperature, to correct a calculation error, p. 7
3
June 2010
?
Added Rise and Fall Time data to Typical Pulsed Performance bullet, p. 1
?
Reporting of pulsed thermal data now shown using the ZθJC
symbol, Table 2, Thermal Characteristics, p. 1
?
Added less than sign (<) to 25 ns in Functional Tests table header and Pulsed RF Performance table
header, p. 2
?
Added Jumper to Table 6, Test Circuit Component Designations and Values and to
Fig. 2, Test Circuit
Component Layout, p. 3, 4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S38010HSR5 | MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S |
| MRF7S38040HSR5 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S |
| MRF7S38075HSR5 | MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780S |
| MRF8P18265HSR6 | FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230S8 |
| MRF8P20100HSR3 | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S38010H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF7S38010HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38010HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38010HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38010HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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