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参数资料
| 型号： | MRF7S35120HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 732K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 3.1GHz |
| 增益： | 12dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 120W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S35120HSR3
Figure 2. MRF7S35120HSR3 Test
Circuit Component Layout
CUT OUT AREA
C9 C8
C7
B1
R1
C10
C6
C1
C3 C4
C5
C2
MRF7S35120HS
Rev. 3a
J1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S38010HSR5 | MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S |
| MRF7S38040HSR5 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S |
| MRF7S38075HSR5 | MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780S |
| MRF8P18265HSR6 | FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230S8 |
| MRF8P20100HSR3 | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S38010H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF7S38010HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38010HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38010HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38010HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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