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参数资料
| 型号： | MRF7S38010HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 520K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 3.4GHz |
| 增益： | 15dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 160mA |
| 功率 - 输出： | 2W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-400S-240 |
| 供应商设备封装： | NI-400S-240 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S38010HR3 MRF7S38010HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc)
3400
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. WiMAX Broadband Performance
@ Pout
= 2 Watts Avg.
?20
0
?5
?10
?15
12
17
16.5
16
?54
20
19
18
17
Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01%
?49
?50
?51
?52
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
15.5
15
14.5
14
13.5
13
12.5
3425 3450 3475 3500 36003525 3550 3575
4 Bursts, 7 MHz Channel
16
?53
?25
IRL
Gps
ηD
VDD= 30 Vdc, Pout
= 2 W (Avg.), I
DQ
= 160 mA
3/4,
802.16d, 64 QAM
Probability on CCDF
ACPR?L
ACPR?U
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc)
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. WiMAX Broadband Performance
@ Pout
= 4 Watts Avg.
?20
0
?5
?10
?15
12
17
16.5
16
?45
26
25
24
23
?40
?41
?42
?43
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
15.5
15
14.5
14
13.5
13
12.5
22
?44
?25
IRL
Gps
ηD
VDD= 30 Vdc, Pout
= 4 W (Avg.), I
DQ
= 160 mA
3/4,
4 Bursts, 7 MHz Channel
802.16d, 64 QAM
Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
ACPR?L
ACPR?U
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
10
19
1
IDQ
= 240 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
200 mA
14
13
11
10 50
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16
VDD
= 30 Vdc, I
DQ
= 160 mA
f1 = 3495
MHz, f2 = 3505 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
IDQ
= 80 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
120 mA
10
?20
?30
?40
?50
1
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
50
?10
VDD
= 30 Vdc, I
DQ
= 160 mA
f1 = 3495
MHz, f2 = 3505 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
12
15
17
18
160 mA
120 mA
80 mA
240 mA
200 mA
160 mA
3400 3425 3450 3475 3500 36003525 3550 3575
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC22FF621J-TF | CAP MICA 620PF 1KV 5% 2220 |
| ST5ETW503 | TRIMMER 50K OHM 0.25W SMD |
| MIN02-002CC170J-F | CAP MICA 17PF 300V 5% SMD |
| MRF7S38010HR3 | MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400 |
| MIN02-002CC150J-F | CAP MICA 15PF 300V 5% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S38010HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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