- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21726 > MRF7S38010HSR3 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF7S38010HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 520K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 3.4GHz |
| 增益： | 15dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 160mA |
| 功率 - 输出： | 2W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-400S-240 |
| 供应商设备封装： | NI-400S-240 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S38010HR3 MRF7S38010HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo
= 50
Ω
Zload
Zsource
f = 3600 MHz
f = 3400
MHz
f = 3400
MHz
f = 3600 MHz
VDD
= 30 Vdc, I
DQ
= 160 mA, P
out
= 2 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
3400
31.79 - j0.13
13.92 - j11.33
3425
32.46 - j3.62
14.61 - j11.40
3450
32.58 - j6.82
15.53 - j11.36
3475
32.29 - j9.43
16.44 - j11.28
3500
31.32 - j11.63
17.25 - j11.07
3525
30.03 - j13.46
18.11 - j10.64
3550
28.76 - j15.19
18.96 - j10.22
3575
27.24 - j16.25
19.60 - j9.68
3600
25.51 - j17.02
20.17 - j8.99
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC22FF621J-TF | CAP MICA 620PF 1KV 5% 2220 |
| ST5ETW503 | TRIMMER 50K OHM 0.25W SMD |
| MIN02-002CC170J-F | CAP MICA 17PF 300V 5% SMD |
| MRF7S38010HR3 | MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400 |
| MIN02-002CC150J-F | CAP MICA 15PF 300V 5% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S38010HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。