型号: | MRF8372 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
中文描述: | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 5/6页 |
文件大小: | 101K |
代理商: | MRF8372 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRF8372G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF8372G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
MRF8372GR1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF8372GR1 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Microsemi 功能描述:Trans GP BJT NPN 16V 0.2A 8-Pin SO T/R |
MRF8372GR2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF8372GR2 - Bulk |
MRF8372LF | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
MRF8372LFR1 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |