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参数资料
| 型号： | MRF8P20165WHSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 738K |
| 描述： | FET RF LDMOS 28V 550MA NI780S4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.98GHz ~ 2.01GHz |
| 增益： | 14.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 550mA |
| 功率 - 输出： | 37W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P20165WHR3 MRF8P20165WHSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
PARC (dB)
1880
G
44ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. 2--Carrier Output Peak--to--Average Ratio Compression
(PARC) Broadband Performance @ Pout
= 37 Watts Avg.
-- 3 . 5
-- 2 . 5
--2.75
-- 3
--3.25
10
20
19
18
-- 3 7
52
50
48
46
-- 2 7
-- 2 9
-- 3 1
-- 3 3
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17
16
15
14
13
12
11
1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
-- 3 5
--3.75
IM3, THIRD ORDER
INTERMODULATION (dBc)
-- 2 5
-- 2 1
-- 2 2
-- 2 3
-- 2 4
-- 2 6
ACPR (dBc)
IM3
PARC
VDD=28Vdc,Pout
=37W(Avg.),IDQA
= 550 mA, VGSB
=1.3Vdc
2--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
30 MHz Carrier Spacing, Input Signal
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
PARC (dB)
1880
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 6. Single--Carrier Output Peak--to--Average Ratio Compression
(PARC) Broadband Performance @ Pout
= 37 Watts Avg.
-- 3 . 5
-- 2 . 5
--2.75
-- 3
--3.25
10
20
19
18
-- 3 6
52
50
48
46
-- 2 6
-- 2 8
-- 3 0
-- 3 2
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17
16
15
14
13
12
11
1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
44
-- 3 4
--3.75
ACPR (dBc)
PARC
VDD=28Vdc,Pout
=37W(Avg.),IDQA
= 550 mA, VGSB
=1.3Vdc
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 20010
100
-- 6 0
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 5 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 4 0
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD
=28Vdc,Pout
= 74 W (PEP), IDQA
= 550 mA, VGSB
=1.3Vdc
Two--Tone Measurements, (f1 + f2)/2 = Center
Frequency of 1960 MHz
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PDF描述 |
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| MRF8P23080HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2.3GHZ 80W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P23080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2.3GHZ 80W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P23080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET V8 2.3GHZ 80W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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