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参数资料
| 型号： | MRF8P20165WHSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 738K |
| 描述： | FET RF LDMOS 28V 550MA NI780S4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.98GHz ~ 2.01GHz |
| 增益： | 14.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 550mA |
| 功率 - 输出： | 37W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P20165WHR3 MRF8P20165WHSR3
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8P23080HSR3 | FET RF N-CH 2.3GHZ 28V NI780S-4 |
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| MRF8P9300HSR6 | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230HS |
| MRF8S18120HR5 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780 |
| MRF8S18260HSR6 | MOSFET RF N-CH 260W NI1230S-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8P20165WHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P23080HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2.3GHZ 80W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P23080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2.3GHZ 80W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P23080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET V8 2.3GHZ 80W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P23080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2.3GHZ 80W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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