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参数资料
| 型号： | MRF8S18120HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 409K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.81GHz |
| 增益： | 18.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 72W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S18120HR3 MRF8S18120HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA, 1805--1880 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
120
?
W
IMD Symmetry @ 94 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
10
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
35
?
MHz
Gain Flatness in 75 MHz Bandwidth @ Pout
=72WCW
GF
?
0.5
?
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.01
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.004
?
dB/°C
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA, Pout
=46WAvg.,
1805--1880 MHz EDGE Modulation
Frequency
Gps
(dB)
ηD
(%)
SR1
@ 400 kHz
(dBc)
SR2
@ 600 kHz
(dBc)
EVM
(% rms)
1805 MHz
17.9
41.0
-- 6 4
-- 7 6
1.6
1840 MHz
18.2
41.9
-- 6 3
-- 7 6
1.7
1880 MHz
18.3
43.2
-- 6 1
-- 7 6
2.0
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