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参数资料
| 型号： | MRF8S18120HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 409K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.81GHz |
| 增益： | 18.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 72W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S18120HR3 MRF8S18120HSR3
Figure 1. MRF8S18120HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
MRF8S18120
CUT OUT AREA
Rev. 2
R2
C3
C7
C6 C5
C1
C8
C9
C10
C13
C11 C12
C2
R1
C4
Table 5. MRF8S18120HR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1, C2
12 pF Chip Capacitors
ATC100B120JT500XT
ATC
C3, C8
9.1 pF Chip Capacitors
ATC100B9R1CT500XT
ATC
C4
10 nF Chip Capacitor
C1825C103K1GAC--TU
Kemet
C5
8.2 pF Chip Capacitor
ATC100B8R2CT500XT
ATC
C6, C9
2.2
μF, 100 V Chip Capacitors
C3225X7R2A225KT
TDK
C7
47
μF, 16 V Tantalum Capacitor
T491D476K016AT
Kemet
C10, C11, C12
10
μF, 50 V Chip Capacitors
GRM55DR61H106KA88L
Murata
C13
330
μF, 63 V Electrolytic Capacitor
MCRH63V337M13X21--RH
Multicomp
R1
10
?, 1/4 W Chip Resistor
CRCW120610R0JNEA
Vishay
R2
4.75
?, 1/4 W Chip Resistor
CRCW12064R75FNEA
Vishay
PCB
0.030″,
εr
=2.55
250GX--0300--55--22
Arlon
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCN2820G393J-Z | CAP FILM 0.039UF 400VDC 2820 |
| MRF8S18120HR3 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780 |
| C3391-33.333 | OSC 33.333 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| FCN2420G333J-B | CAP FILM 0.033UF 400VDC 2420 |
| WMC08S18K | CAP FILM 0.018UF 80VDC AXIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S18210WGHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 210W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18210WGHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 210W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18210WHS | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF8S18210WHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 55W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18210WHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 55W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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