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参数资料
| 型号： | MRF8S21200HSR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 580K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.14GHz |
| 增益： | 18.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 48W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S21200HR6 MRF8S21200HSR6
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pout
=48WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
2060
3.64 -- j4.51
1.42 -- j2.27
2080
3.65 -- j4.50
1.41 -- j2.21
2100
3.64 -- j4.53
1.40 -- j2.15
2120
3.56 -- j4.47
1.40 -- j2.09
2140
3.58 -- j4.44
1.39 -- j2.03
2160
3.58 -- j4.44
1.38 -- j1.97
2180
3.57 -- j4.44
1.38 -- j1.91
2200
3.56 -- j4.45
1.38 -- j1.86
2220
3.54 -- j4.64
1.37 -- j1.80
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 10. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S23120HSR5 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| MRF8S26120HSR3 | FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S23120H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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| MRF8S23120HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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