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参数资料
| 型号： | MRF8S21200HSR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/14页 |
| 文件大小： | 580K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.14GHz |
| 增益： | 18.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 48W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S21200HR6 MRF8S21200HSR6
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S23120HSR5 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| MRF8S26120HSR3 | FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S |
| MRF8S7170NR3 | FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2 |
| MRF8S9100HSR5 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S |
| MRF8S9120NR3 | FET RF N-CH 900MHZ QM780-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S23120H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8S23120HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S23120HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S23120HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S23120HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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