- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录94 > MRF8S7170NR3 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF8S7170NR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 334K |
| 描述： | FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 748MHz |
| 增益： | 19.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 50W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | OM-780-2 |
| 供应商设备封装： | OM-780-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF8S7170NR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 5. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
10
22
0
72
36
24
12
?
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
?D
G
ps
, POWER GAIN (dB)
20
100 300
-- 6 0
ACPR (dBc)
0
-- 2 0
-- 3 0
Figure 6. Broadband Frequency Response
10
22
600
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=28Vdc
Pin
=0dBm
IDQ
= 1200 mA
14
650
GAIN (dB)
Gain
700 800 900 1000750 850 950
IRL
-- 3 0
0
-- 1 5
-- 2 0
-- 2 5
IRL (dB)
12
748 MHz
768 MHz
18
16
60
48
-- 5 0
-- 4 0
728 MHz
20
-- 1 0
-- 5
14
12
748 MHz
728 MHz
1
VDD=28Vdc,IDQ
= 1200 mA
Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @
0.01% Probability on
CCDF
748 MHz
768 MHz
768 MHz
728 MHz
10
18
16
W--CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 7. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
1357924 6810
PROBABILITY (%)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
?5MHzOffset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
Input Signal
-- 6 0
--100
10
(dB)
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
3.84 MHz
Channel BW
-- 9 9-- 7 . 2
7.2
1.8 5.43.6
0
-- 1 . 8
-- 3 . 6
-- 5 . 4
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
-- 1 0
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S9100HSR5 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S |
| MRF8S9120NR3 | FET RF N-CH 900MHZ QM780-2 |
| MRF8S9170NR3 | FET RF N-CH 900MHZ 28V OM780-2 |
| MRF8S9200NR3 | MOSFET RF N-CH 58W OM780-2 |
| MRF8S9220HSR3 | FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S7235N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF8S7235NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 700MHZ OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S8260H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF8S8260HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S8260HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。