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参数资料
| 型号： | MRF8S7170NR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 334K |
| 描述： | FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 748MHz |
| 增益： | 19.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 50W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | OM-780-2 |
| 供应商设备封装： | OM-780-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S7170NR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Table 5. Electrical Characteristics
(TA
=25?C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1200 mA, 618--803 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
—
182
—
W
IMD Symmetry @ 160 W PEP, Pout
where IMD Third Order
Intermodulation
?
30 dBc
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
—
16
—
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
—
65
—
MHz
Gain Flatness in 185 MHz Bandwidth @ Pout
=50WAvg.
GF
—
0.5
—
dB
Gain Variation over Temperature
(--30?Cto+85?C)
?G
—
0.017
—
dB/?C
Output Power Variation over Temperature
(--30?Cto+85?C)
?P1dB
—
0.0048
—
dB/?C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MRF8S9220HSR3 | FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF8S8260HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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