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参数资料
| 型号： | MRF8S9100HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 484K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 920MHz |
| 增益： | 19.3dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 72W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S9100HR3 MRF8S9100HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
f, FREQUENCY (MHz)
DD
=28Vdc,Pout
=72WCW,IDQ
= 500 mA
15 0
Gps
21 60
ηD
20
50
19
40
30
10
IRL
Figure 2. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 72 Watts CW
-- 5
-- 2 0
17
20
-- 1 0
-- 1 5
V
18
16
800 940820 840 860 880 900 920 1000960 980
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY (%)
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Power Gain, Input Return Loss, EVM and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 46 Watts Avg.
21
0
50
IRL
20
40
30
18
20
4
16
2
G
ps
, POWER GAIN (dB)
EVM, ERROR VECTOR
MAGNITUDE (% rms)
VDD
=28Vdc,Pout
=46WAvg.
IDQ
= 700 mA, EDGE Modulation
19
17
15
ηD
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
-- 5
-- 2 0
-- 1 0
-- 1 5
EVM
110100
-- 6 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
TWO--TONE SPACING (MHz)
Figure 4. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
IM7--U
IM5--U
IM5--L
IM3--L
IM7--L
IM3--U
VDD
=28Vdc,Pout
= 100 W (PEP)
IDQ
= 500 mA, Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 940 MHz
-- 1 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
1 10010
20
f = 940 MHz
VDD
=28Vdc
IDQ
= 500 mA
19
17
16
Figure 5. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18
920 MHz
Gps
ηD
Gps
15
0200
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
75
60
45
30
15
800 940 960 980820 840 860 880 900 920 1000
960 MHz
960 MHz
920 MHz
940 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S9100HR5 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780 |
| B84299D1101B3 | FILTER POWER LINE 100A 250V |
| C3391-30.000 | OSC 30.000 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| DPPM10D22K | CAP FILM 2200PF 1KVDC RADIAL |
| MRF8S9100HR3 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S9100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 100W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9102NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 50W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9120NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9170NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9170NR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
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