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参数资料
| 型号： | MRF8S9100HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 484K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 920MHz |
| 增益： | 19.3dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 72W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S9100HR3 MRF8S9100HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 500 mA, 920--960 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
108
?
W
IMD Symmetry @ 100 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
4
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
30
?
MHz
Gain Flatness in 40 MHz Bandwidth @ Pout
=72WCW
GF
?
0.13
?
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.02
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.005
?
dB/°C
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 700 mA, Pout
=45WAvg.,
920--960 MHz EDGE Modulation
Frequency
Gps
(dB)
ηD
(%)
SR1
@ 400 kHz
(dBc)
SR2
@ 600 kHz
(dBc)
EVM
(% rms)
920 MHz
19.1
43
--64.1
--74.5
1.8
940 MHz
19.1
44
--63.6
--74.6
2.0
960 MHz
19.0
45
--62.8
--75.1
2.3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S9100HR5 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF8S9102NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 50W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9120NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9170NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9170NR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
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