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参数资料
| 型号： | MRF8S9120NR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 1530K |
| 描述： | FET RF N-CH 900MHZ QM780-2 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 19.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 33W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | OM-780-2 |
| 供应商设备封装： | OM-780-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S9120NR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA, Pout
=33WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
820
2.75 -- j0.48
3.19 + j0.87
840
2.67 -- j0.21
2.95 + j1.16
860
2.61 -- j0.06
2.73 + j1.45
880
2.56 + j0.32
2.54 + j1.74
900
2.51 + j0.56
2.36 + j2.01
920
2.48 + j0.80
2.19 + j2.29
940
2.43 + j1.03
2.03 + j2.57
960
2.39 + j1.24
1.89 + j2.85
980
2.36 + j1.46
1.77 + j3.12
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 9. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S9170NR3 | FET RF N-CH 900MHZ 28V OM780-2 |
| MRF8S9200NR3 | MOSFET RF N-CH 58W OM780-2 |
| MRF8S9220HSR3 | FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S |
| MRF8S9260HSR3 | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880HS |
| MRF9002NR2 | MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S9170NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9170NR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| MRF8S9200NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9200NR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| MRF8S9202GNR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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