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参数资料
| 型号： | MRF9045NBR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 470K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 945MHz |
| 增益： | 19dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 45W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | TO-272-2 |
| 供应商设备封装： | TO-272-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
N
O
T RE
CO
MMENDED F
O
R NEW DE
S
I
G
N
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9045NR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
22 24 26 28 30 32
VDD, DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Output Voltage versus Supply Voltage
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Pin
= 0.3 W
Pin
= 0.6 W
Pin
= 1 W
IDQ
= 350 mA
f = 945 MHz
Two?Tone Measurement
100 kHz Tone Spacing
Figure 11. MTTF Factor versus Junction Temperature
100 120 140 160 180 200
210
1011
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
1010
108
MTTF FACTOR (HOURS X AMPS
2
)
90 110 130 150 170 190
109
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9060LR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| MRF9080LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| MRF9120LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-860 |
| MRFE6P3300HR5 | MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3 |
| MRFE6P9220HR3 | MOSFET RF N-CH 200W NI-860C3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF9045NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W 1GHZ RF LDMOS TO270N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9045NR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF9045 Series 945 MHz 45 W 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET |
| MRF9045S | 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-391BVAR |
| MRF904SNR1 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF905 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF TRANSISTOR |
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