- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录94 > MRF9060LR5 (Freescale Semiconductor)IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF9060LR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 365K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 945MHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 70W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-360 |
| 供应商设备封装： | NI-360 短引线 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 360B-05
ISSUE G
NI-360
MRF9060LR1
G
E
C
T
SEATINGPLANE
DIM
A
MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
0.795 0.805 20.19 20.45
INCHES
B
0.225 0.235 5.72 5.97
C
0.125 0.175 3.18 4.45
D
0.210 0.220 5.33 5.59
E
0.055 0.065 1.40 1.65
F
0.004 0.006 0.10 0.15
G
0.562 BSC 14.28 BSC
H
0.077 0.087 1.96 2.21
K
0.220 0.250 5.59 6.35
M
0.355 0.365 9.02 9.27
Q
0.125 0.135 3.18 3.43
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
2
3
Q
2X
aaa BT
A
M
M
M
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M?1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
R
0.227 0.233 5.77 5.92
S
0.225 0.235 5.72 5.97
N
0.357 0.363 9.07 9.22
aaa
0.005 REF 0.13 REF
bbb
0.010 REF 0.25 REF
ccc
0.015 REF 0.38 REF
bbb BT
A
M
M
M
2X
D
2X
K
B
B
(FLANGE)
H
F
ccc BT
A
M
M
M
bbb BT
A
M
M
M
A
M
(INSULATOR)
A
N
(LID)
ccc BT
A
M
M
M
R
(LID)
S
(INSULATOR)
aaa BT
A
M
M
M
CASE 360C-05
ISSUE E
NI-360S
MRF9060LSR1
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
DIM
A
MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
0.375 0.385 9.53 9.78
INCHES
B
0.225 0.235 5.72 5.97
C
0.105 0.155 2.67 3.94
D
0.210 0.220 5.33 5.59
E
0.035 0.045 0.89 1.14
F
0.004 0.006 0.10 0.15
H
0.057 1.450.067 1.70
K
0.085 0.115 2.16 2.92
M
0.355 0.365 9.02 9.27
E
C
T
SEATING
PLANE
2
1
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M?1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
S
0.225 0.235 5.72 5.97
aaa
0.005 REF 0.13 REF
bbb
0.010 REF 0.25 REF
ccc
0.015 REF 0.38 REF
H
F
ccc BT
A
M
M
M
R
(LID)
S
(INSULATOR)
aaa BT
A
M
M
M
bbb BT
A
M
M
M
(FLANGE)
2X
D
B
B
ccc BT
A
M
M
M
bbb BT
A
M
M
M
M
(INSULATOR)
N
(LID)
A
(FLANGE)
A
2X
K
PIN 3
N
0.357 0.363 9.07 9.22
R
0.227 0.23 5.77 5.92
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9080LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| MRF9120LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-860 |
| MRFE6P3300HR5 | MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3 |
| MRFE6P9220HR3 | MOSFET RF N-CH 200W NI-860C3 |
| MRFE6S8046NR1 | MOSFET RF N-CH 45W TO-270-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF9060LSR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 60W 945MHZ NI360S LOW AU RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9060LSR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF9060LSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 60W RF PWR FET NI360LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9060MBR1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF Sub-micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-channel Enhancement-mode Lateral MOSFETs |
| MRF9060MR1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。