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参数资料
| 型号： | MRF9080LR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 217K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 18.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 600mA |
| 功率 - 输出： | 75W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9080LR3
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
8
Oct. 2008
?
Data sheet revised to reflect part status change, p. 1, including use of applicable overlay.
?
Modified data sheet to reflect RF Test Reduction described in Product and Process Change Notification
number, PCN12779, p. 1, 2
?
Updated Part Numbers in Tables 5 and 6, Component Designations and Values, to RoHS compliant part
numbers, p. 3, 5
?
Added Product Documentation and Revision History, p. 10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9120LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-860 |
| MRFE6P3300HR5 | MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3 |
| MRFE6P9220HR3 | MOSFET RF N-CH 200W NI-860C3 |
| MRFE6S8046NR1 | MOSFET RF N-CH 45W TO-270-4 |
| MRFE6S9045NR1 | MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF9080LR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF9080LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 75W 960MHZ 26V NI780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9080LSR3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF9080R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF9080R5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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