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参数资料
| 型号： | MRFE6P9220HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 403K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 200W NI-860C3 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 47W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6P9220HR3
5
Freescale Semiconductor
RF Product Device Data
Figure 2. MRF6P9220HR3 Test Circuit Component Layout
MRF6P9220, Rev. 1
VGG
VDD
VDD
VGG
COAX3
COAX4
COAX1
COAX2
C1
C23
B1
R1
R3
C2
C3
C4
C5
C6
C7 C8
B2
R2
C15
C18
C17
C16
C11
C10
C12
C13
C14
C24
C19
C22
C21
C20
CUT OUT AREA
C9
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MRFE6S8046NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9045GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 45W TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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