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参数资料
| 型号： | MRFE6S9060NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/15页 |
| 文件大小： | 576K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 14W TO270-2 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 特色产品： | MRFE6S9060NR1 MOSFET |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 14W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRFE6S9060NR1DKR |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9060NR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
14
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
80
22
60
21
50
30
20
1 10 100
18
Gps
G
ps
, POWER GAIN (dB)
10
ηD
200
85C
20
19
40
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 24 V
140
16
22
0 10020
40 60 80 120
17
19
18
20
IDQ
= 450 mA
f = 880 MHz
28
V
32
V
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 14 W Avg., and
ηD
= 32.5%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select Tools
(Software & Tools)/Calculators to access MTTF calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
17
C
70
25
15
16
VDD= 28 Vdc
IDQ
= 450 mA
f = 880 MHz
TC
= ?30
C
25C
85C
?30C
21
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRFE6S9125NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 125W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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