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参数资料
型号： MRFE6S9125NBR1
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 功率晶体管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, WB-4, CASE-1484-04, 4 PIN
文件页数： 14/18页
文件大小： 594K
代理商： MRFE6S9125NBR1
MRFE6S9125NR1 MRFE6S9125NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRFE6S9125NR1(NBR1) Test Circuit Component Layout
CUT
OUT
AREA
C9
R2
C10
VGG
VDD
C8 C7
C1
C2
C3
C5
L1
C4
C6
C12
C13
C15
C16
C17
C14
L2
C11
C23
C18
C19
C20 C21
C22
900 MHz
TO272 WB
Rev. 0
R1
相关PDF资料
PDF描述
MRFE6S9125NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRFE6S9130HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9130HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9135HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9160HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
MRFE6S9125NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 125W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9130HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9130HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRFE6S9130HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9130HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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