- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录95 > MRFE6S9130HSR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 27W NI-780S Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRFE6S9130HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 413K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 27W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 19.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
April 2007
?
Initial Release of Data Sheet
1
Dec. 2008
?
Updated Full Frequency Band in Typical Performance bullet to f = 880 MHz to match actual production
test, p. 1
?
Operating Junction Temperature increased from 200°C to 225°C in Maximum Ratings table and related
?Continuous use at maximum temperature will affect MTTF? footnote added, p. 1
?
Corrected VDS
to V
DD
in the RF test condition voltage callout for V
GS(Q), On Characteristics table, p. 2
?
Updated PCB information to show more specific material details, Fig. 1, Test Circuit Schematic, p. 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9135HSR5 | MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880S |
| MRFE6S9160HSR5 | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780S |
| MRFE6S9200HSR5 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| MRFE6S9201HSR5 | MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780S |
| MRFE6S9205HSR5 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9135HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9135HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9135HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9135HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。