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参数资料
| 型号： | MRFE6S9130HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 413K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 27W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 19.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
?25
?5
?10
?15
?20
?30
?45
?5
?15
?25
?35
?55
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
980
820
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 27 Watts Avg.
960
940
920
900
880
860
840
20
19.5
?70
34
30
26
?20
?40
?50
980
820
IRL
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 54 Watts Avg.
960
940
920
900
880
860
840
19
17.5
?70
50
41
?10
?20
?40
?60
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
10 400100
15
21
1
IDQ
= 1400 mA
1100 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
19
18
17
?20
1
IDQ
= 500 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
?30
?40
?50
?60
10
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
18.5
17.5
16.5
15.5
15
16.5
15.5
14.5
13.5
13
16
950 mA
500 mA
?10
700 mA
1400 mA
16
17
18
19
?60
?30
28
32
17
16
15
14
44
38
?30
?50
ηD
ACPR
VDD
= 28 Vdc, f1 = 878.75 MHz, f2 = 881.25 MHz
Two?Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
700 mA
400
950 mA
1100 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 878.75 MHz, f2 = 881.25 MHz
Two?Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
VDD= 28 Vdc, Pout
= 27 W (Avg.), I
DQ
= 950 mA
N?CDMA IS?95 Pilot, Sync, Paging, Traffic
Codes 8 Through 13
ALT1
ηD
18
18.5
35
47
0
ALT1
VDD= 28 Vdc, Pout
= 54 W (Avg.)
IDQ
= 950 mA, N?CDMA IS?95 Pilot, Sync
Paging, Traffic Codes 8 Through 13
20
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| MRFE6S9135HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9135HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9135HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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