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参数资料
| 型号： | MRFE6S9130HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 413K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 27W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 19.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
16010
31
32 3533
34 36
37 38 39
?60
0
TWO?TONE SPACING (MHz)
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 130 W (PEP)
IDQ
= 950 mA, Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 880 MHz
IM3?U
?20
?30
?40
?50
Figure 8. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
Figure 9. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0
?80
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
60
?20
40
?30
30
?40
20
?50
C
?60
1 10 100
10
40
60
P6dB = 52.95 dBm (197.24 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
55
54
52
50
Actual
Ideal
P3dB = 52.26 dBm (168.27 W)
51
53
400
14
21
1
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 950 mA
f = 880 MHz
100
10
19
18
17
16
15
C
60
40
30
20
10
Gps
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
ηD
Gps
G
ps
, POWER GAIN (dB)
50
?70
ηD
ACPR
?10
200
50
IM3?L
IM5?L
IM5?U
IM7?U
IM7?L
56
57
58
59
P1dB = 51.15 dBm
(130.31 W)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA, Pulsed CW
12 μsec(on), 1% Duty Cycle, f = 880 MHz
ALT1, CHANNEL POWER (dBc)
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 950 mA, f = 880 MHz
N?CDMA IS?95, Pilot, Sync, Paging
Traffic Codes 8 Through 13
ALT1
TC
= ?30
25C
85C
20
TC
= ?30
C
25C
85C
?30
25C
85C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MRFE6S9135HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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