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参数资料
| 型号： | MRFE6S9160HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 497K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 35W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
1 40010
100
?80
?10
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
5th Order
3rd Order
?20
?30
?40
?50
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
?60
?70
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
1 10010
?60
0
TWO?TONE SPACING (MHz)
IM3?U
?20
?30
?40
?50
IM5?L
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 140 W (PEP)
IDQ
= 1200 mA, Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 880 MHz
Figure 9. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
37
60
P6dB = 53.13 dBm (205.59 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
58
56
52
48
29 31 33 3530 3632
34
Actual
Ideal
50
54
28
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
P3dB = 52.86 dBm (193.2 W)
P1dB = 52.1 dBm (162.2 W)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
ALT1, CHANNEL POWER (dBc)
Figure 10. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0
?100
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
80
?20
40
C
?50
30
?60
20
?70
C
?80
1 10 100
10
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 1200 mA
f = 880 MHz, N?CDMA IS?95
Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13
Gps
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
50
C
?90
ηD
ACPR
200
ALT1
TC
= ?30
C
85C
25
?30
25C
85
?30C
25C
85C
IM3?L
IM5?U
IM7?L
60
70
?40
?30
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements, 1 kHz Tone Spacing
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA
Pulsed CW, 12 μsec(on), 1% Duty Cycle
f = 880 MHz
?70
?10
IM7?U
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3059Y-1-202LF | TRIMMER 2K OHM 1W TH |
| 3059Y-1-504LF | TRIMMER 500K OHM 1W TH |
| MRFE6S9130HSR3 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780S |
| MRFE6S9130HR5 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 |
| MRFE6S9130HR3 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9160HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9200HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9200HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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