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参数资料
| 型号： | MRFE6S9160HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/13页 |
| 文件大小： | 497K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 35W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
N-CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 14. Single-Carrier CCDF N-CDMA
10
1
0.1
0.01
0.001
IS?95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13) 1.2288 MHz Channel Bandwidth
Carriers. ACPR Measured in 30 kHz Bandwidth @
±750 kHz Offset. ALT1 Measured in 30 kHz
Bandwidth @ ±1.98
M
Hz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on CCDF.
PROBABILITY (%)
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+ACPR in 30 kHz
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Integrated BW
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...
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.
+ALT1 in 30 kHz
..............
.............................
Integrated BW
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?80
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?90
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..
..?ALT1 in 30 kHz
Integrated BW
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.........
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.........
?60
?110
?10
(dB)
?20
?30
?40
?50
?70
?100
1.2288 MHz
Channel BW
?3.6 3.62.9
0.7 2.21.5
0
?1.5
?0.7
?2.9
?2.2
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. Single-Carrier N-CDMA Spectrum
?ACPR in 30 kHz
Integrated BW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3059Y-1-202LF | TRIMMER 2K OHM 1W TH |
| 3059Y-1-504LF | TRIMMER 500K OHM 1W TH |
| MRFE6S9130HSR3 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780S |
| MRFE6S9130HR5 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 |
| MRFE6S9130HR3 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9160HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9200HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9200HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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