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参数资料
| 型号： | MRFE6S9160HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 497K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 35W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
16
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
24
80
22
C
60
21
C
50
30
20
1 10 100
18
VDD= 28 Vdc
IDQ
= 1200 mA
f = 880 MHz
Gps
G
ps
, POWER GAIN (dB)
23
10
ηD
400
TC
= ?30
C
?30C
25C
85
20
19
40
85C
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 24 V
300
16
21
0 200100
17
19
18
20
IDQ
= 1200 mA
f = 880 MHz
28
V
32
V
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 35 W Avg., and
ηD
= 31%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
17
70
25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3059Y-1-202LF | TRIMMER 2K OHM 1W TH |
| 3059Y-1-504LF | TRIMMER 500K OHM 1W TH |
| MRFE6S9130HSR3 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780S |
| MRFE6S9130HR5 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 |
| MRFE6S9130HR3 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9160HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9200HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9200HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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