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参数资料
型号： MRFE6S9160HR3
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 功率晶体管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件页数： 9/13页
文件大小： 497K
代理商： MRFE6S9160HR3
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRFE6S9160HR3(SR3) Test Circuit Component Layout
CUT
OUT
AREA
C16
900 MHz
Rev. 2
C17
B1
C18
C19
R2
R1
L1
C1
C3
C4
C6
B2
C24
C22 C23
C21
C7 C9
C5
C2
C15
C13
C12
C11
C10
C8
L2
C20
C14
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PDF描述
MRFE6S9160HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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参数描述
MRFE6S9160HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9160HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9160HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9200HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9200HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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