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参数资料
| 型号： | MRFE6S9160HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 497K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 35W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HSR3
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
850
865
880
1.20 + j0.03
1.31 + j0.22
1.26 + j0.15
0.61 - j1.27
0.66 - j1.15
0.64 - j1.05
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA, P
out
= 35 W Avg.
Zo
= 2
Ω
Zload
f = 850 MHz
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 910 MHz
Zsource
895
910 1.26 + j0.320.48 - j0.74
1.32 + j0.28
0.55 - j0.90
f = 850 MHz
f = 910 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MRFE6S9200HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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