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参数资料
| 型号： | MRFE6S9160HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 497K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 35W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HSR3
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
Mar. 2007
?
Initial Release of Data Sheet
1
Dec. 2008
?
Table 4, On Characteristics, tightened VDS(on)
Min value from 0.05 to 0.1 to match production test values,
p. 2
?
Updated PCB information to show more specific material details, Fig. 1, Test Circuit Schematic, p. 4
?
Updated Part Numbers in Table 5, Component Designations and Values, to latest RoHS compliant part
numbers, p. 4
?
Adjust scale for Fig. 8, Intermodulation Distortion Products versus Tone Spacing, to show wider dynamic
range, p. 7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9200HSR5 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| MRFE6S9201HSR5 | MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780S |
| MRFE6S9205HSR5 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| MRFE6VP5600HR5 | FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230 |
| MRFE6VP61K25HSR6 | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRFE6S9200HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9200HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9200HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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