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参数资料
| 型号： | MRFE6VP6300HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/15页 |
| 文件大小： | 991K |
| 描述： | FET RF N-CH 300W NI780-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 230MHz |
| 增益： | 26.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 300W |
| 电压 - 额定： | 125V |
| 封装/外壳： | NI-780-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6VP6300HR3 MRFE6VP6300HSR3
Figure 3. MRFE6VP6300HR3(HSR3)
Test Circuit Component Layout
C8
CUT OUT AREA
L1
C7
C6
C5
C1
C4
R1
C3
C2
L2
C18
C20
C19
C17
C10
C11
C12
C13
C14
C15
C16
MRFE6VP6300H/HS
Rev. 2
C9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84299K62C | FILTER POWER LINE 4A 250V |
| MRFE6VP6300HSR5 | FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4 |
| CDV16FF421JO3 | CAP MICA 420PF 1KV 5% RADIAL |
| MD7P19130HSR3 | MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780HS-4 |
| MIN02-002EC600J-F | CAP MICA 60PF 300V 5% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP6300HR3_11 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRFE6VP6300HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP8600H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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