- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21723 > MRFE6VP6300HR3 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 300W NI780-4 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRFE6VP6300HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/15页 |
| 文件大小： | 991K |
| 描述： | FET RF N-CH 300W NI780-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 230MHz |
| 增益： | 26.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 300W |
| 电压 - 额定： | 125V |
| 封装/外壳： | NI-780-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6VP6300HR3 MRFE6VP6300HSR3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84299K62C | FILTER POWER LINE 4A 250V |
| MRFE6VP6300HSR5 | FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4 |
| CDV16FF421JO3 | CAP MICA 420PF 1KV 5% RADIAL |
| MD7P19130HSR3 | MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780HS-4 |
| MIN02-002EC600J-F | CAP MICA 60PF 300V 5% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP6300HR3_11 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRFE6VP6300HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP8600H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。